高导热陶瓷基片是第三代半导体封装核心材料，热性能直接决定器件散热效率。百检依托电子材料表征能力，提供精准质量评估服务。

一、检测范围

涵盖氮化硅基片（热导率≥90W/(m・K)）、氮化铝基片、氧化铍基片等，厚度 0.1-7mm，适配 SiC 功率器件、新能源汽车电控模块等场景。

二、核心检测标准

• 专项标准：《高导热陶瓷基片导热系数测试 瞬态平面热源法》

• 国际：IEC 61189-3《电子材料介电性能测试》、ISO 22007-2《热物性测试通则》

• 国标：GB/T 1693《绝缘材料击穿强度测试》

三、关键检测项目

1. 热性能：导热系数 1-500W/(m・K)（精度 ±3%），热扩散系数 0.1-10mm²/s，-50-300℃热稳定性≥95%

2. 电学性能：绝缘强度≥20kV/mm，体积电阻率≥10¹⁴Ω・cm，介电损耗 tanδ≤0.005（1MHz）

3. 力学性能：抗弯强度≥400MPa，弹性模量≥300GPa，表面平整度≤10μm

4. 匹配性能：热膨胀系数 (3.0-5.0)×10⁻⁶/℃（与 SiC 匹配），翘曲度≤0.1mm/m

四、常用检测方法

• 热性能：TPS 热性能测试仪（阶跃电流 50-500mA，测试时间 10-60 秒）

• 绝缘测试：高压击穿试验仪（升压速率 1kV/s，精度 ±1%）

• 平整度：激光平面干涉仪（分辨率 0.1μm）

• 力学测试：万能试验机（三点弯曲，跨距 30mm）

五、百检检测优势

率先采用瞬态平面热源法，解决薄片基片测试难题；覆盖热、电、力学全维度，适配半导体封装需求，通过批量测试优化成本，报告支撑国产基片替代认证。